삼성-SK-마이크론, ‘10나노’ D램 승부… 미세공정 투자 가속화

삼성전자ㆍ하이닉스 올해 20조 이상 투자… 글로벌 3강 내년 10나노대 D램 양산 전망

글로벌 반도체 3강 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 D램 초격차 기술 전쟁이 시작됐다. 내년 D램 시장 호황이 전망되는 가운데, 3사는 미세공정 전환을 통한 시장 선점 경쟁을 본격화했다.

14일 업계에 따르면 올해 삼성전자 17라인, SK하이닉스 M14, 마이크론 히로시마 공장 등 글로벌 D램 투자금액은 지난 2010년 이래 가장 높은 수준인 140억 달러 이상을 기록할 것으로 전망된다.

삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 D램 시장을 주도하는 3사는 미세공정 전환을 위한 공격적 투자를 진행 중이다. 공정이 고도화될수록 반도체 재료 실리콘 원판인 웨이퍼에서 생산할 수 있는 제품 수가 많아져 원가경쟁력을 높일 수 있고, 이는 곧 수익성 향상으로 직결되기 때문이다. 삼성전자는 올해 14조원 이상, SK하이닉스는 6조원 이상 등의 투자를 계획하고 있다.

세계 3위 반도체 회사 미국 마이크론은 최근 약 1조원 규모의 D램 반도체 투자를 발표했다. 지난 2013년 인수한 옛 엘피다 히로시마 공장에 향후 1년간 1000억엔(약 9600억원) 이상을 투입하는 계획으로, 특히 16나노 공정에 투자가 집중될 전망이다. 마이크론은 내년 상반기 양산기술을 확보해 삼성전자와 SK하이닉스에 크게 뒤쳐진 공정기술을 높인다는 방침이다.

업계는 삼성전자와 SK하이닉스가 이르면 내년 하반기 18나노 D램을 양산할 것으로 보고 있다. 내년에는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 모두 10나노대 미세공정으로 맞붙게 되는 것. 다만 업계 일각에서는 마이크론의 16나노 공정기술 확보에 대해 회의적인 입장을 보이고 있다.

현재 삼성전자가 20나노, SK하이닉스가 20나노 초반, 마이크론이 20나노 후반의 공정 기술력을 가지고 있다.

글로벌 반도체 업체들이 이처럼 미세공정에 속도를 내는 이유는 내년 D램 업황 개선이 점쳐지기 때문이다. 업계는 내년 공급이 감소하면서 D램 시장 수급이 3년만에 개선될 것으로 관측했다.

박유악 메리츠종금증권 연구원은 “2016년에는 모바일 D램 수요 증가와 PC D램 공급 감소 효과로 유통재고가 정상화될 것”이라며 “2016년 생산능력 감소가 2017년에는 제한적 공급 증가로 직결, D램 산업의 중장기적인 수급 개선을 이끌 것”이라고 예상했다.

관심사는 삼성전자 독주체제가 지속될지 여부다. 지금으로써는 삼성전자는 D램 시장에서 독보적 위치를 차지하고 있다. 시장조사업체 IHS에 따르면 올 2분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자는 역대 분기 최고 점유율인 45.2%로 1위를 기록했다. SK하이닉스는 27.3%로 2위, 마이크론으로 20.4%로 3위를 기록했다.