삼성ㆍ하이닉스, 반도체 공격투자에도 D램가격 불안… "실적 버팀목 역할 불투명"

10월 D램 DDR3 4GB 평균가격 전달 대비 9.5% 하락

올해 삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 부문에 공격적 투자를 진행하고 있는 가운데, 메모리반도체 D램 가격이 급락하고 있어 내년 실적 전망을 불투명하게 하고 있다.

4일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 올 10월 기준 D램 대표 제품 DDR3 4GB 모듈 평균 계약가격은 16.75달러로, 전달(18.5달러) 대비 9.5% 하락했다. DDR3 4GB 가격은 올해 들어 29.5달러에서 16.75달러로 절반 이상 떨어졌고, 내년 중반까지 가격 하락세가 이어질 전망이다.

문제는 D램 가격 약세 속에서도 삼성전자와 SK하이닉스가 해외시장 환경 대응과 설비 특성으로 반도체 투자를 늘리고 있는 점이다. 바짝 쫓아오는 중국과 기술격차를 벌려 메모리반도체시장에서 선두 지위를 유지하려는 전략에서다.

업계 관계자는 "중국이 반도체 굴기(堀起)를 선언함에 따라 삼성전자와 SK하이닉스가 설비 및 연구개발(R&D) 투자를 지속할 전망이어서, 내년에 ‘반도체 실적버팀목’ 역할이 지속되기는 쉽지 않을 것"으로 내다봤다.

글로벌 D램 시장은 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 3강 체제다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 45.2%, 27.3%의 점유율(IHS·매출액, 2015년 2분기 기준)로 글로벌 D램 시장의 70% 이상을 차지하고 있다.

중국의 반도체 시장 참여가 당장 영향을 미치지는 않겠지만, 이에 따른 국내 기업들의 공격적 투자는 자칫 공급과잉을 불러일으킬 수 있다는 지적이다. 노트북과 PC 등은 향후 성장 둔화가 점쳐지고, 스마트폰 역시 시장포화로 예전만큼의 폭발적 수요 증가를 기대하기 어렵다.

최도연 교보증권 애널리스트는 "최근 반도체 시황은 공급량 감소에도 불구하고 수요가 더 나빠지면서 시황에 악영향을 준 것으로 판단된다"며 "올해 실적을 견인했던 삼성전자와 SK하이닉스도 내년도 반도체 시황에 따라 영향을 크게 받을 것으로 예상된다"고 말했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이같은 상황을 타개하기 위해 초격차 기술로 시장 주도권을 유지해 나간다는 전략이다. 삼성전자는 이르면 내년 초 업계 최초로 18나노 미세공정을 도입할 계획이다. 아울러 현재 D램 생산라인 17라인의 웨이퍼 생산량을 월 4만장에서 5만장으로 늘릴 예정이다.

SK하이닉스는 M14 팹의 웨이퍼 생산량을 1만5000장에서 7만장으로 늘려나갈 계획이다. SK하이닉스는 올 4분기 20나노 초반 공정에 돌입하고, 내년 중반경 전체 생산량의 절반 이상에 20나노 초반 공정을 적용할 방침이다.