18일 시장조사업체 D램익스체인지 트렌드포스에 따르면 올 1분기 글로벌 D램 시장 매출 규모는 전분기(102억7000만 달러) 대비 16.6% 감소한 85억6200만 달러를 기록했다. 지난해 4분기(△9.1%) 대비 2배 가까이 감소폭이 확대된 것으로, 공급과잉과 D램 평균 판매가격 하락이 겹치면서 전분기에 이어 시장 규모가 축소됐다.
이에 따라 D램 시장 3강 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 매출도 급감했다. 올 1분기 삼성전자는 전분기(47억6200만 달러) 대비 16.6% 감소한 39억7200만 달러의 매출을 기록했다. SK하이닉스도 같은 기간 19.2% 줄어든 23억1700만 달러, 마이크론은 18.4% 낮아진 15억8800만 달러를 각각 거뒀다. 세 업체 모두 전분기(△9.7%·△9.3%·△10.5%)보다 감소폭이 2배가량 늘어나며 매출이 부진했다.
D램 시장 불황 속에서도 삼성전자는 40%대의 이익률로 수익성을 방어했다. 삼성전자의 올 1분기 D램 운영 마진율은 전분기(43%) 대비 3%포인트 하락한 40%다. 업계 유일 20나노 미세공정으로 수익성을 방어했다는 분석이다. 반면 같은 기간 SK하이닉스와 마이크론의 마진율은 각각 18.0%포인트, 7.3%포인트 급락한 14.0%, 1.2%에 그쳤다.
삼성전자 수익성의 핵심은 미세공정을 기반으로 한 원가경쟁력이다. 2014년 세계 최초로 20나노 D램 공정을 도입한 삼성전자는 현재 전체 D램 생산량의 80% 수준을 20나노 공정으로 생산하고 있다. 올 2월부터는 18나노 D램 양산을 시작하며 세계 처음으로 ‘10나노급 D램 시대’를 열었다. 10나노급 D램 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다.
초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 초고속·초절전 설계 기술을 통해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빨라졌고 동작상태에 따라 소비전력을 10~20% 절감할 수 있다.
반면 경쟁사들은 20나노 초반대 공정을 이제 막 시작했다. SK하이닉스는 2분기 20나노급 제품을 본격 양산, 올 하반기까지 20나노 초반 D램 비중을 절반 이상까지 확대할 방침이다. 마이크론은 지난해 말 20나노급 PC·서버용 D램 고객 테스트를 마치고 양산을 시작한 만큼 원가 절감 효과는 아직 제한적이라는 분석이다.
한편 올 1분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자는 전분기와 같은 46.4%의 점유율(매출기준)로 선두를 지켰고 같은 기간 SK하이닉스는 0.8%포인트 하락한 27.1%의 점유율로 2위를 유지했다. 마이크론은 0.4%포인트 낮아진 18.5%의 점유율로 3위를 기록했다.