‘반도체 빅2’ 주도권 경쟁… 삼성, ‘V+Z’ 차세대 낸드ㆍ하이닉스, 10나노급 양산 돌입

입력 2017-01-04 10:44 수정 2017-01-04 13:35
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▲삼성전자가 특허청에 출원한 Z-SSD와 SAMSUNG Z-NAND 상표권.(출처=키프리스 캡쳐)
▲삼성전자가 특허청에 출원한 Z-SSD와 SAMSUNG Z-NAND 상표권.(출처=키프리스 캡쳐)
반도체 업계가 최대 호황기를 맞으면서, 연초부터 시장 주도권 잡기 경쟁이 치열하다. 삼성전자는 차세대 낸드플래시 공략에 속도를 내고 있고, SK하이닉스는 D램 부문에서 거센 추격전에 돌입했다.

4일 관련업계에 따르면, 64단 4세대 V(3D) 낸드 양산에 착수한 삼성전자는 이르면 이달 내 이를 탑재한 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 출시할 계획이다. 기존 제품보다 용량을 두 배 높인 32TB(테라바이트) 서버 SSD다. 세계 최대 용량을 자랑하며, 기존 HDD(하드디스크드라이브)로 구성된 시스템을 이 제품으로 대체할 경우 시스템의 물리적 공간을 약 40분의 1로 줄일 수 있다.

V낸드는 평면구조의 낸드플래시를 수직 구조로 전환한 것이 특징이다. 반도체를 아파트처럼 쌓아올려 집적도를 높이고 저장 용량을 늘렸다. 4세대 V낸드는 기존 3세대(48단) 대비 데이터를 저장하는 셀을 1.3배 더 쌓아올렸다. 삼성전자 관계자는 “서버 SSD를 먼저 내놓은 후, 4세대 V낸드 기술을 채택한 제품을 잇따라 선보일 것”이라고 말했다.

삼성전자는 차세대 ‘Z-낸드’ 기술로 만든 ‘Z-SSD’라는 이름의 하이엔드용 신제품도 연내 출시할 계획이다. Z-SSD는 기존 SSD 저장장치보다 응답시간은 4배, 읽기속도는 1.6배 빠르다. 빅데이터 분석과 서버 구동 등 많은 정보를 한꺼번에 처리하는 작업에 특화한 기업 시장용 차세대 제품이다. D램의 빠른 처리 속도에 낸드플래시의 비휘발성(전원 차단시에도 정보를 기억) 및 대용량을 덧붙인 기술이다. 이와 관련, 삼성전자는 지난해 하반기 특허청에 ‘Z-SSD’, ‘SAMSUNG Z-NAND’라는 상표권을 출원한 것으로 확인됐다.

SK하이닉스는 10나노 후반급 D램 개발을 마치고 1월 안에 램프업(생산량 증대)에 돌입한다. 현재 경기도 이천 신공장인 M14에 일부 보완 장비를 반입하는 등 생산 준비 마무리 단계를 진행 중이다. SK하이닉스는 1분기 내 생산량을 지속적으로 확대해 생산량이 안정적인 궤도에 올라오면, 2분기부터 본격 양산을 시작할 계획이다.

SK하이닉스가 10나노급 D램 양산을 시작하면 업계 1위 업체인 삼성전자와의 기술 격차를 크게 줄일 수 있을 것으로 보인다. 현재 10나노급 D램을 생산할 수 있는 업체는 삼성전자가 유일하다. SK하이닉스 관계자는 “곧 양산될 10나노급 D램에 대한 고객사의 관심이 크다”면서 “다수의 고객사를 중심으로 10나노급 D램의 테스트가 진행되고 있다”고 말했다.

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