[컨콜] SK하이닉스 “연말까지 D램·3D 낸드 일부 케파 증가 계획”

SK하이닉스는 25일 실적발표컨퍼런스콜에서 “올해 연말까지 D램과 3D 낸드 일부 케파 증가를 계획하고 있다”라며 “D램 공정전환으로는 수요 증가를 충족시킬 수 없어 신규 케파를 통해 수요를 잡을 것”이라고 밝혔다.

이어 “M14 2층이 50% 설비로 차있고 실제 생산은 2분기부터 투입됐다”며 “3분기에 실제 낸드 빗 그로스 (메모리 용량을 1비트 단위로 환산해 계산한 메모리 반도체의 생산량 증가율)에 기여할 것”이라고 덧붙였다.