진 사장은 1997년 입사 후 차세대 DRAM개발 및 특성연구 업무를 시작으로 2004년 세계최초 80나노 공정개발, 2009년 20나노 소자개발 등 DRAM 공정의 한계돌파를 이끈 인물이다.
또, 세계 최초로 80·60·30·20나노 DRAM 상품화를 성공시키면서 2011년 삼성 펠로우(Fellow)로 선정되는 등 DRAM 분야 세계 최고 권위자로 평가된다.
슈링크(Shrink)의 한계로 어려운 개발환경에서도 ‘할 수 있다’는 강한 신념과 끊임없는 고민을 통해 최근 18나노 DRAM(세계 최초 10나노대 DRAM)개발에 성공하는 등 퍼스트 무버(First Mover)로서 메모리 글로벌 초격차 기술력 유지에 핵심역할을 한, 반도체 1등 DNA를 보유한 인물이다.
삼성전자 측은 “이번 승진을 통해 삼성전자 최대 부품사업의 책임자로서 리더십을 더욱 강화할 것으로 기대된다”고 밝혔다.
[진교영 DS부문 메모리사업부장 약력]
△1962년 8월 26일생
△1981년 서울고 졸업
△1985년 서울대 전자공학 학사
△1987년 서울대 전자공학 석사
△1994년 서울대 전자공학 박사
△1997.05 ~ 2002.01 삼성전자 메모리연구소 TD팀 선임연구원
△2002.01 ~ 03.04 삼성전자 메모리 DRAM PA팀 수석
△2003.04 ~ 09.01 삼성전자 메모리 차세대연구1팀 담당임원
△2009.02 ~ 13.12 삼성전자 반도체연구소 메모리 TD팀장
△2014.12 ~ 17.03 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장
△2017.03 ~ 현재 삼성전자 메모리사업부장