삼성전자, 화성서 EUV 생산 라인 기공식… 2020년까지 60억 달러 투자

입력 2018-02-23 11:00
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▲삼성전자 화성캠퍼스 EUV라인 착공 조감도(사진제공=삼성전자)
▲삼성전자 화성캠퍼스 EUV라인 착공 조감도(사진제공=삼성전자)

삼성전자가 경기도 화성캠퍼스에서 ‘삼성전자 화성 EUV 라인 기공식’을 열고 극자외선(EUV)을 이용한 첨단 공정 전용 반도체 제조 공장 증설에 착수한다. 2020년 본격 가동까지 총 60억 달러를 투자할 예정이다.

23일 기공식에는 권칠승 국회의원(더민주, 화성시병), 황성태 화성시 부시장, 김기남 삼성전자 DS부문장(사장), 정은승 파운드리 사업부장(사장), 지역주민 등 약 300명이 참석했다.

김기남 사장은 기념사를 통해 “이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥ㆍ화성ㆍ평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것”이라며 “삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 통해 국가경제에 기여할 것”이라고 말했다.

이번에 착공하는 화성 EUV라인은 2019년 하반기에 완공, 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작한다.

특히 이번 신규라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV 장비가 본격 도입된다. 이는 삼성전자가 향후 반도체 미세공정 기술 리더십을 유지하는 데 핵심 역할을 할 것으로 회사는 내다봤다.

반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하며 반도체의 성능과 전력효율을 향상시켜왔다. 그러나 최근 한 자리 수 나노 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 보다 세밀한 회로를 구현하기 위해서는 기존 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 필요해졌다.

회사는 EUV 기술이 본격 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율을 향상시킬 수 있음과 동시에 회로 형성을 위한 공정수가 줄어들어, 생산성도 획기적으로 높일 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 화성 EUV라인을 통해 향후 모바일·서버·네트워크·HPC 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다.

화성 EUV라인의 초기 투자규모는 건설비용 포함 2020년까지 60억 달러(약 6조4830억 원) 수준이다. 삼성전자는 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.

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