삼성전자, 실리콘 3D 적층기술 256GB 서버용 D램 모듈 최초 공개

美실리콘밸리서 ‘삼성 테크 데이 2018’ 개최

▲17일(현지 시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 '삼성 테크 데이 2018'에서 미주 지역총괄 최주선 부사장이 개회사를 하고있다.(사진제공=삼성전자)

삼성전자가 실리콘 3D 적층 기술을 활용, 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈을 세계 최초로 공개했다.

삼성전자는 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 있는 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018’을 개최했다.

삼성전자 메모리사업부는 서버용 ‘256GB 3DS RDIMM’과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술 등 차세대 신제품과 신기술을 대거 소개했다.

이번 행사에서 세계 최초로 공개된 ‘256GB 3DS RDIMM’은 실리콘 3D 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈이다. 차세대 초고성능·초고용량 ‘리얼 타임 어낼리시스(Real Time Analysis) 및 인메모리 데이터베이스(In Memory DataBase)’ 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 ‘128GB RDIMM’ 대비 용량 2배 확대, 소비전력효율은 30% 개선됐다.

장성진 메모리 D램 개발실 부사장은 “2017년 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다”고 밝혔다.

또한 향후 EUV공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대하여 사업 위상을 더욱 높여나갈 것을 강조했다.

한편, 삼성전자는 엔터프라이즈 스토리지향 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD를 공개하며 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자향 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대한다.

삼성전자는 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와 읽기 속도 향상은 물론이고 MLC(2비트, Multi Level Cell) 설계를 통해 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb, MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향을 제시했다.

삼성전자는 빅데이터에 특화된 KV(Key Value) SSD, 인공지능 머신러닝용 스마트(Smart)SSD, 고속 네트워크(Network)용 SSD와 스토리지를 결합한 NVMeoF(NVME over Fabric) SSD 등 새로운 솔루션을 제공해 다양한 고객들과의 오픈 이노베이션을 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자는 차세대 IT 시장에 최적화된 메모리 기술을 선행 개발해 나가는 한편 평택 라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속 확대해 고객 수요에도 적극적으로 대응할 계획이다.