삼성·SK하이닉스, 불황엔 기술력으로 승부…고부가 제품 늘린다

▲이재용 삼성전자 부회장이 6일 일본의 경제보복 핵심인 반도체 라인을 둘러보고 있다. 사진제공 삼성전자

메모리 반도체 불황으로 실적 직격탄을 맞은 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고부가 제품으로 승부수를 던졌다. 위기일수록 적게 팔고도 많이 남길 수 있고, 고객들의 생산성 향상에도 도움이 되는 ‘기술력’으로 승부를 보겠다는 계획이다.

27일 관련 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 10나노 초반대 D램과 3D 낸드 등을 통해 실적 방어에 나선다.

먼저 SK하이닉스는 생산을 줄이는 대신 차세대 미세공정 기술로 고용량, 고부가가치 제품을 늘려갈 계획이다.

D램은 10나노급 2세대(1y) 생산 비중을 연말 10% 초반으로 높이고, 최근 개발한 10나노급 3세대(1z) 공정 제품 양산도 차질 없이 준비 중이다.

낸드플래시는 96단 4D 낸드 제품 생산 비중을 연말 10% 중반 이상으로 확대하고, 128단 4D 낸드 양산과 판매 준비도 추진한다. 4분기에는 낸드플래시 매출 중 SSD가 차지하는 비중을 30% 수준까지 높일 계획이다.

삼성전자 역시 9월부터 업계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) D램’을 본격 양산하기 시작했다. 이를 기반으로 내년 초 최고 성능ㆍ최대 용량의 D램 라인업을 공급해 프리미엄 D램 시장의 성장을 지속 주도한다는 전략이다.

특히 역대 최대 용량인 512GB DDR5 D램을 비롯해 초고성능ㆍ초고용량 차세대 메모리 솔루션을 제공해 글로벌 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여할 예정이다.

D램 개발실 박광일 전무는 “지난 3월 업계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 데 이어, 최고 속도ㆍ최대 용량의 DDR5 D램, 모바일 LPDDR5, 초고속 GDDR6, HBM3 등 차세대 프리미엄 라인업을 적기에 양산할 수 있도록 준비하고 있다”며 “향후에도 기술 리더십을 지속 유지하는 한편, 에코시스템 업체들과 자율주행, AI 응용시장에서 안전성 향상을 위한 기술 협력을 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

낸드플래시의 경우, 업계 유일 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정(1 Etching Step)을 더욱 개선한 적층 기술과 칩 면적을 최소화할 수 있는 기술을 접목한 7세대 V낸드 제품을 내년에 출시할 계획이다.

또 기존 1세대 대비 읽기응답 시간(tR) 및 지연 시간(Latency)을 개선한 2세대 Z-NAND 라인업을 공개하며 차별화된 고객 가치를 제공해 프리미엄 시장을 지속 확대해 나간다는 전략이다.

플래시 개발실 강동구 상무는 “2013년 3차원 V낸드 양산을 통해 새로운 메모리 시장을 창출한 이래 세대가 증가할수록 기술 난이도가 더욱 높아지고 있다”며 “7세대 V낸드에는 더욱 혁신적인 기술을 적용해 속도와 용량을 향상시켜, 고객들이 소비자의 사용 편의성을 높인 차세대 시스템을 계획대로 출시하도록 도울 것”이라고 말했다.

삼성전자 관계자는 “고객의 차세대 시스템 성능과 IT 투자 효율을 더욱 극대화하는 메모리 기술을 적기에 개발하고, 평택 신규 라인에서 차세대 라인업을 본격 양산해 고객 수요 증가에 차질 없이 대응해 나간다는 계획”이라고 말했다.