[종합] 이재용 "국민성원에 보답하는 길은 혁신"… 삼성 초격차 기술 점검

삼성전자, EUV 공정 적용한 D램 양산 등 초격차 기술력 선봬

(사진제공=삼성전자)

"어렵고 힘들 때일수록 미래를 철저히 준비해야 합니다."

이재용 삼성전자 부회장이 25일 오전 수원에 위치한 삼성종합기술원을 찾아 "국민의 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신"이라며 이같이 밝혔다.

그러면서 "한계에 부딪쳤다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자"고 강조했다.

이 자리에서 이 부회장은 삼성의 신기술 연구개발 현황을 보고 받고 차세대 미래기술 전략을 점검했다.

또 이날 간담회에선 △차세대 AI 반도체 및 소프트웨어 알고리즘 △양자 컴퓨팅 기술 △미래 보안기술 △반도체ㆍ디스플레이ㆍ전지 등의 혁신 소재 등 선행 기술에 대한 논의가 이뤄졌다.

이밖에 사회적 난제인 미세먼지 문제 해결을 위해 지난해 설립한 미세먼지 연구소의 추진 전략 등도 살펴봤다.

이 자리에는 김기남 삼성전자 DS부문 부회장, 황성우 삼성종합기술원장 사장, 강호규 삼성전자 반도체연구소장, 곽진오 삼성디스플레이 연구소장 등이 배석했다.

삼성종합기술원은 1987년 미래 준비를 위한 기초 연구와 핵심 원천기술 선행 개발을 위해 개관했으며, 현재는 17개 연구실(Lab)에서 1200여 명의 연구원들이 차세대 기술에 대한 연구를 진행하고 있다.

특히 삼성전자는 이날 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급했다고 발표하는 등 다양한 분야에서 초격차 기술력을 이어가고 있다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 된다. 이를 통해 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

이재용 부회장 역시 인공지능, 5G, 자율주행 분야의 고성능, 저전력 반도체 개발에 필요한 'EUV 기술' 연구에 지대한 관심을 갖고 챙겨 왔다.

지난해 4월 시스템반도체 비전 선포식 당시EUV 건설 현장을 직접 찾아갔으며, 올해 1월과 2월에도 화성 반도체연구소와 세계 첫 EUV 전용 생산기지인 V1라인을 방문해 개발 현황을 점검하기도 했다.

이러한 이재용 부회장의 관심과 임직원들의 노력으로 EUV 공정 기술 기반의 사업 성과가 점차 가시화되고 있다.

삼성전자는 시스템반도체 분야에서 지난해 4월 세계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 반도체 제품 출하를 시작했으며, 올해에는 차세대 3나노 파운드리 기술도 선보였다.

삼성전자는 시스템반도체에 이어 메모리반도체까지 적용 분야를 넓히며 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖췄다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.