삼성 올해 시설투자만 35조…반도체 초격차 이어간다

올해 반도체 29조 원ㆍ디스플레이 4조 원…3분기에만 8조4000억 원 집행
메모리 첨단공정 전환·증설 투자
파운드리 EUV 5나노 공정 증설 투자
QD 디스플레이 생산능력ㆍ 중소형 신기술 공정 중심 투자 확대

▲경기도에 위치한 삼성전자 나노시티 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. (사진제공=삼성전자)

삼성전자가 올해 30조 원이 넘는 시설투자를 단행하며, 반도체와 디스플레이 사업에서 초격차를 이어간다.

삼성전자는 올해 총 35조2000억 원 규모의 시설 투자를 단행한다고 29일 밝혔다. 이는 지난해 시설투자 29조 원보다 21% 늘어난 것이다. 사업별로는 반도체 28조9000억 원, 디스플레이 4조3000억 원 수준이다.

3분기 시설투자는 8조4000억 원이 집행됐다. 사업별로는 반도체 6조6000억 원, 디스플레이 1조5000억 원이 투자됐다. 3분기 누계로는 25조5000억 원이 집행됐고, 반도체 21조3000억 원, 디스플레이 3조1000억 원 수준이다.

메모리 사업은 향후 수요 증가 대응 등을 위한 첨단공정 전환과 증설 투자로 전년 대비 증가가 예상된다.

삼성전자는 이날 열린 실적 콘퍼런스콜에서 “상반기까지 얼어붙었던 소비 심리 회복되면서 3분기 중저가 위주 모바일 회복세 지속되고 있다”며 “4분기 모바일 D램과 낸드 수요 모두 탄탄할 것”이라고 설명했다.

D램은 4분기 중화권 고객사 중심으로 모바일 수요 확대가 크게 나타나며, 내년 상반기부터 5G(5세대 이동통신) 수요 모멘텀이 본격적으로 가시화할 것으로 예상된다.

서버 D램은 재고조정이 4분기까지 지속하다가 내년 상반기 재고조정 효과로 재고 수준이 건전화할 것으로 전망된다.

낸드의 경우 공급과잉이 내년까지 지속할 것으로 봤다. 다만, 삼성전자는 “고객사 수요에 적극적으로 대응한다는 전략에는 변함이 없다”며 “7세대 V낸드도 일정대로 순조롭게 개발되고 있고, 2021년 본격 양산을 계획하고 있다”는 입장이다.

파운드리(반도체 위탁생산)도 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 5나노 공정 등 증설 투자로 증가가 전망된다. 삼성전자는 내년 5G 보급확대로 파운드리 산업은 한 자릿수 후반 수준의 성장을 내다보고 있다.

특히 삼성전자는 고성능 미세화 공정에 대한 요구가 고객사로부터 크게 증가하고 있어 내년 파운드리에서 시장 성장률을 크게 상회할 것으로 보고 있다.

디스플레이는 QD(퀀텀닷) 디스플레이 생산능력(캐파)과 중소형 신기술 공정 중심으로 투자가 증가할 것으로 예상된다.

LCD(액정표시장치) 패널 공급 연장을 검토 중이나 확정되지는 않았다고 밝혔다. 삼성전자는 “고객사들로부터 LCD 패널 공급 연장 문의가 있는 것은 사실”이라면서 “QD 디스플레이로 전환 중인 캐파를 제외한 나머지 라인으로 단기간 공급 연장을 검토하고 있으나 아직 확정된 건 없다. QD 전환에 영향은 없다”고 설명했다.

한편, 삼성전자는 주주환원 정책과 관련 “잔여재원이 확정된 후 발표하는 것이 타당하다. 2020년 실적 마감 후 내년 1월 말 실적발표 때 잔여재원 규모를 공개하고 집행할 계획”이라며 “차기 주주환원 정책 계획에 대해서도 현재 여러 방안을 검토하고 있다”고 밝혔다.