하이닉스, 50나노급 고용량 모바일 D램 개발

하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

이 제품은 멀티 칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.

전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 8분의 1에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털카메라, MP3플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.

또 1.2V 초저전력으로 작동 가능하며 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.

SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.

다양한 성능을 갖춘 이번 제품은 모바일 인터넷 디바이스(MID)를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC) 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량화ㆍ저전력화ㆍ고속화ㆍ소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 보인다.

국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 내년 상반기부터 양산될 예정이다.

시장 조사기관 아이서플라이의 보고서에 따르면 모바일 D램 시장이 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 역시 2007년 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 보고 있다.

이런 시장 추세에 맞춰 하이닉스는 지난 2006년12월, 세계 최고속 512메가비트 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기에는 66나노 최소형 1기가비트 모바일 D램과 최고속 1기가비트 LPDDR2 등 고부가가치 제품인 모바일 D램 제품 생산의 비중을 늘려 왔다.

하이닉스는 향후에도 기술경쟁력을 기반으로 제품 포트폴리오의 다양화를 통해 회사의 경쟁력을 한층 더 확고히 하고, 아이서플라이 기준 현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말까지 20%로 확대해 수익성을 더욱 제고할 계획이다.