이번에 공급한 제품은 전류를 한쪽 방향으로 전달 시키는 JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드(Diode)다. 전기차, TV 등 고전력 부품으로 사용되는 범용 제품이다.
전력반도체는 높은 전력이 필요한 전기제품이나 전기차, 수소차, 5G 통신망 등에서 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 필수 반도체다.
반도체 시장 동향 조사 회사 Yole(욜)은 SiC 전력반도체 시장이 2024년까지 연평균 29% 성장해 20억 달러 규모로 성장할 것으로 전망했다.
SiC와 GaN(갈륨나이트라이드)를 이용한 전력반도체는, 기존 Si(실리콘)을 이용한 전력반도체 보다 2~3배 이상 큰 전압에 견딜 수 있으며, 고온에서도 정상 동작하는 특징이 있다.
SiC 전력반도체는 고전압과 고열에 견디는 능력이 커서 소형화 및 전력 소모 감소가 가능하다. 이에 따라 고전압이 필요한 전기차나 수소차에 우선적으로 적용되고 있다.
SiC 전력반도체는 기술장벽이 높고 양산 능력을 갖춘 업체가 많지 않아 세계적으로 공급이 부족한 상황이다. 현재 국내에서는 6인치 웨이퍼 팹을 운영하는 곳이 2~3개 업체에 불과하며 SiC 전력반도체 파운드리 기술을 보유한 업체는 없는 상태다.
알에프세미는 전주 공장에 6인치 웨이퍼 팹을 운영하고 있으며 월 6000장의 생산 능력을 가지고 있다.
이진효 알에프세미 대표는 "20년간의 반도체 제조 기술 노하우를 바탕으로 빠른 시간에 높은 수율의 제품 생산이 가능했다"며 "SiC 전력반도체 파운드리 사업을 확대해 나갈 계획"이라고 밝혔다.