삼성, 세계 최초 3나노 출하…5년 내 고객사 300곳 확보 속도

지난달 세계 최초 3나노 공정 양산 성공
기술로는 처음으로 TSMC에 6개월 앞서
2026년까지 고객사 100곳→300곳 확대
초격차로 ‘2030 시스템반도체 1위’ 가속

▲25일 삼성전자가 세계 최초 3나노 파운드리 출하식을 개최했다. 이날 행사에는 이창양 산자부 장관, 경계현 사장을 비롯한 협력사, 팹리스, 삼성전자 임직원 등 100여 명이 참석했다. (사진제공=삼성전자)

삼성전자가 지난달 세계 최초로 3nm(나노미터ㆍ10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입한 데 이어 한 달이 채 되지 않아 출하까지 완성했다.

이를 시작으로 첨단 공정에서의 우위를 앞세워 2030년까지 ‘시스템반도체 1위’ 목표 달성을 가속한다. 특히 ‘2030 시스템반도체 비전’ 실현에 충분한 고객사 확보가 필수인 만큼 오는 2026년까지 300곳 이상의 파운드리 고객 확보에 나선다는 계획이다.

25일 삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 V1 라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(게이트 올 어라운드) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 협력사, 팹리스, 경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석했다.

경계현 사장은 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

이번에 출하된 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정보다 소비 전력과 면적은 각각 45%, 16% 줄고 성능은 23% 향상됐다. 내년 양산 예정인 2세대 공정은 소비 전력 50% 줄고 면적은 35% 축소, 성능은 30% 향상될 것으로 전해졌다.

▲지난달 GAA 기술 기반 3나노 양산을 최초로 시작한 삼성전자가 25일 출하를 진행했다. 관계자들이 웨이퍼를 들고 옮기는 모습. (사진제공=삼성전자)

2005년 파운드리 사업에 진출한 삼성전자가 업계 1위인 TSMC를 제치고 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노를 선보인 데는 각고의 노력이 있었다는 설명이다. 앞서 삼성전자 업계 최초로 EUV 장비를 시스템반도체(7나노ㆍ2019년), 메모리(3세대 10나노급(1z) D램ㆍ2020년)에 각각 도입하며 기술 경쟁력을 증명했다.

이번 3나노 양산은 삼성전자가 처음으로 기술에서 TSMC를 앞선 것으로 업계에선 TSMC가 연말께 GAA가 아닌 핀펫 기술 기반의 3나노 양산에 돌입할 것으로 내다보고 있다. TSMC보다 6개월 이상 빠를 뿐 아니라 공정 기술에서도 앞섰다는 평가다.

삼성전자는 현재 약 100곳의 고객사를 5년 내 300곳으로 확대한다는 목표다. 이에 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고 주요 고객들과 모바일 SoC(시스템 온 칩) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.

특히 메모리반도체에서 부동의 1위를 지키고 있는 삼성전자는 파운드리에서도 기술 경쟁력을 바탕으로 초격차를 달성한다는 전략이다. 파운드리사업부는 이날 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

한편 세계 최초 3나노 양산ㆍ출하를 두고 삼성전자 내 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄은 물론 대덕전자, 동진쎄미켐, 솔브레인 등 팹리스 및 소부장(소재ㆍ부품ㆍ장비) 업체와의 협력이 주효했다는 설명이다.

업계 관계자는 “이번 3나노 양산과 출하는 삼성전자와 팹리스ㆍ소부장 업체 간 협력의 결실”이라며 “앞으로도 협력을 지속하며 기술 경쟁력을 키워나갈 것으로 보인다”고 설명했다.