알에프세미, 캐나다 업체와 1조5000억 규모 ‘질화갈륨 전력반도체’ 시장 공략

캐나다 갠시스템스와 MOU 체결
GaN 제품 개발 및 시장 확대 가속

알에프세미가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품 개발에 속도를 내며 시장 공략에 나선다.

알에프세미는 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 업무협약(MOU)를 체결했다고 5일 밝혔다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 갠시스템스의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발 및 시장 확대를 위해 추진됐다.

갠시스템스는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유한 이 분야 세계 선두 기업이다.

알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 ‘가변 적층형 방열판 패키지’ 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.

GaN 전력반도체는 차세대 전력반도체로 주목받고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만 달러(약 1067억 원)에서 2026년 연평균 70%씩 성장해 11억 달러(약 1조5000억 원)를 기록할 것으로 전망된다.

GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 갖고 있다. 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 휴대폰, 노트북, 가전제품 전원장치, 충전기 등 소형 가전에 주로 사용된다. 최근에는 전기차 내부 전원장치, 자율주행용 라이다 센서 등으로 적용이 확대되고 있다.

이진효 알에프세미 대표는 “차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리 생산에 이어 GaN 전력반도체 제품을 기반으로 복합모듈 제품을 개발해 회사 성장에 이바지할 것”이라고 밝혔다.