4조 투자한 삼성 반도체 기술 중국 빼돌려 D램 개발한 전직임원, 구속 기소

▲ 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) R＆D 시설 (연합뉴스)

무려 4조 원을 투자해 삼성전자가 독자개발한 반도체 핵심 기술을 빼돌려 중국에 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 중국 지방정부로부터 약 4000억 원을 투자 받아 삼성전자의 핵심 기술을 부정 사용해 20나노 D램을 개발한 중국 반도체 제조업체 대표 최모(66) 씨와 개발실장 오모(60) 씨를 27일 구속 기소했다고 밝혔다.

최 씨는 2020년 9월 중국 지방정부와 합작으로 청두가오전을 설립했고 이후 삼성전자에서 수석연구원을 지낸 오 씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입한 것으로 알려졌다.

이들에게 적용된 혐의는 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등이다.

최 씨와 오 씨는 모두 삼성전자에서 핵심 연구인력으로 근무했으며 중국 현지에서 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS)을 설립한 최 씨의 경우 근무 기간이 약 30년에 달하는 반도체 제조분야 전문가인 것으로 확인됐다.

검찰에 따르면 피고인들은 삼성전자가 4조 원을 투자해 독자 개발한 핵심 기술을 부정 사욤함으로써 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정기술을 불과 1년 6개월 만에 개발해 중국에서 시범 생산에 성공했다.

검찰은 “피고인들이 최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상됐다”면서 “사안의 중대성을 감안해 경찰 수사단계부터 긴밀히 협력해 피고인을 구속했다”고 설명했다.