▲삼성전자가 40나노급 DDR3 D램 양산에 돌입했다.
삼성전자는 21일 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다고 밝혔다. 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 이번 달부터 본격 양산에 들어간 것으로 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.
삼성전자는 또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다.
특히 DDR3가 D램 시장에서 차지하는 위상이 시간이 갈수록 높아지고 있어 삼성전자의 이번 40나노급 D램 양산은 후발주자들의 추격의지를 꺾는 효과도 기대된다.
반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중은 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.
또 2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.