삼성전자ㆍ美IBM 로직공정 공동개발

신물질 및 트랜지스터 구조 개발 等 선행연구 분야에서도 협력

삼성전자는 미국의 IBM과 20나노와 20나노 미만의 차세대 로직공정을 공동개발한다고 13일 밝혔다.

양사는 지난 2005년부터 전략적 제휴를 통해 첨단 로직공정을 공동 개발해왔으며, 이를 통해 65나노·45나노·32나노 공정기술을 개발한 바 있다.

삼성전자는 “20나노 이하의 로직공정은 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기용 반도체 뿐만 아니라, 고성능 컨슈머 기기 및 클라우딩 컴퓨팅 분야에도 널리 사용 될 차세대 공정기술”이라고 설명했다.

20나노 이하급 공정개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진하게 되며, 삼성전자는 이외에도 20나노 미만 차세대 공정개발을 위한 기초 단계인 신물질 개발, 트랜지스터 구조 개발과 같은 선행연구개발도 진행한다.

삼성전자 반도체사업부 시스템 LSI 기술개발팀 정은승 전무는 “선행연구개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화시키고, 이를 통해 지속적인 기술 리더십을 유지할 것”이라고 밝혔다.

IBM 반도체 부문 마이클 캐디건(Michael Cadigan) 대표는 “혁신적인 컨슈머, 컴퓨팅 기기를 만들기 위해 반도체 분야의 협력은 매우 중요하다”며 “선행연구개발 단계에서부터 삼성과 협력하게 되어 매우 기쁘다”고 밝혔다.

한편, 삼성전자·IBM·글로벌 파운드리(Global Foundries) 등이 참여하고 있는 커먼 플랫폼(Common Platform)은 오는 18일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 커먼 플랫폼 테크 포럼(Common Platform Technology Forum)을 개최해 차세대 반도체 기술 및 솔루션에 대해 논의하는 자리를 마련할 계획이다.