권오철 하이닉스반도체 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회에서 “현재 30나노급 D램 양산에 돌입했다”며 “하반기 20나노급 개발을 완료할 예정이다”고 밝혔다.
이어 권 사장은 “낸드플래시 분야도 작년 26나노 개발을 완료했다”며 “금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다”고 말했다.
입력 2011-03-30 11:40
권오철 하이닉스반도체 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회에서 “현재 30나노급 D램 양산에 돌입했다”며 “하반기 20나노급 개발을 완료할 예정이다”고 밝혔다.
이어 권 사장은 “낸드플래시 분야도 작년 26나노 개발을 완료했다”며 “금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다”고 말했다.
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