삼성전자는 20나노급 3비트(bit) 낸드플래시를 기반으로 32기가바이트(GB) 마이크로SD(micro SD) 메모리카드 양산에 6월부터 돌입했다고 30일 밝혔다.
이 마이크로 SD 메모리카드는 쓰기 속도 12MB/s · 읽기 속도 24MB/s를 지원한다. 기존에 양산해오던 30나노급 3비트 낸드플래시 32기가바이트 마이크로SD카드 속도(6MB/s) 보다 두 배가 빨라졌다.
제품 속도는 미국 SD협회가 제시하는 ‘클래스(Class)10’에 해당한다. ‘클래스10’은 풀 HD급 영상 촬영에 적합한 데이터 쓰기 속도를 표시하는 SD카드 속도 규격으로 최저 쓰기 속도 10MB/s 이상을 충족해야 한다.
속도 향상은 지난해 11월부터 양산해 온 20나노급 32기가바이트 3비트 낸드플래시 · 3비트 전용 컨트롤러를 제품에 탑재해 가능했다고 회사 측은 설명했다.
제품 크기는 새끼 손톱 정도로 현재까지 상용화된 메모리카드 중 가장 작다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리담당의 부사장은 "32기가바이트 마이크로SD 클래스10 메모리카드는 최근 출시되고 있는 4세대 스마트폰 기기에 적합한 빠른 속도를 구현한다"며 "향후 마이크로SD 시장에서 주요 고객사·소비자들이 32기가바이트 마이크로SD 클래스10 제품으로 대용량 메모리카드의 효용성에 큰 만족감을 느낄 것"이라고 말했다.
한편 삼성은 내년 20나노급 64기가바이트 3비트 400메가비피에스(Mbps) 낸드플래시 기반으로 32기가바이트 이상의 대용량 메모리카드를 양산할 계획이다.