하이닉스 “30나노 공정 수율 좋아… 4분기 수익 개선”

30나노급 D램 수율, 40나노급 수준… 모바일 D램 비중도 높아져

하이닉스반도체는 30나노급 공정 수율이 좋고 수익성이 높은 모바일 D램 비중이 높아지고 있어 4분기부터는 수익성이 개선될 것이라고 27일 밝혔다.

김민철 하이닉스 부사장은 이날 오후 열린 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “3분기 전체 D램 가운데 모바일D램 비중이 25% 수준이었다”며 “모바일D램 비중이 올해 4분기 20%대 후반으로 늘어나고 내년 1분기에는 30%를 넘어서면서 전체적인 수익성 개선을 주도할 것"이라고 말했다.

이어 “30나노급 공정 수율이 40나노급과 비슷한 수준에 도달했다”며 “전체 D램 가운데 30나노대 공정 비중이 올해 3분기 20%에서 연말까지 40%로 늘어날 것”이라고 말했다.

하이닉스는 낸드플래시에 생산량 확대에 대한 계획도 밝혔다.

김정수 하이닉스 상무는 “스마트폰과 태블릿PC, 울트라북 등을 중심으로 낸드플래시 수요가 꾸준히 늘어나고 있어 현재 월 11만장 수준 생산량을 연내 12만장으로 늘릴 것”이라고 밝혔다.

낸드플래시 증설 계획에 대해서는 김 상무는 “기존 청주 M11 공장 내 생산여력이 아직 월 2만장 정도 설비를 들일 수 있는 여유가 있다”며 “M12라인의 경우 새로운 투자한다면 가장 먼저 쓸 수 있는 공장이지만 내년 이후 투자의 건이기에 연말까지 결정을 기다려야 하는 상황이다”이라고 답했다.

내년도 스마트폰 가격이 떨어지게 되면 메모리 가격도 하락하지 않겠냐는 지적에 대해서 그는 “내년에는 스마트폰이 로우엔드 제품과 하이엔드 제품으로 이원화 될 것”이라며 “올해 하이엔드급에 채용된 디램과 낸드플래시가 내년엔 로우엔드 제품에 들어가고, 하이엔드 제품에는 더 큰 용량의 제품이 탑재될 것이기 때문에 걱정없다”고 강조했다.