티씨케이는 4일 Polycarbosillane 및 그 제조방법(국외특허_일본) 특허권을 취득했다고 4일 공시했다. 특허 주요 내용은 실리콘카바이드(SiC) 소재의 전구체인 Polycarbosillane 제조방법이다.
티씨케이는 4일 Polycarbosillane 및 그 제조방법(국외특허_일본) 특허권을 취득했다고 4일 공시했다. 특허 주요 내용은 실리콘카바이드(SiC) 소재의 전구체인 Polycarbosillane 제조방법이다.
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