삼성전자, 중국 반도체 생산라인 기공

총 투자규모 70억달러…역대 중국 투자규모 중 최대

▲삼성전자는 12일 중국 시안(西安)시 고신공업개발구내 부지에서 권오현 대표이사를 비롯한 주요 인사가 참석한 가운데 반도체 생산라인 기공식을 개최했다. 사진 왼쪽부터 정연주 삼성물산 대표이사, 마중핑 성정협 주석, 이규형 주중 한국대사, 자오러지 산시성 서기, 권오현 삼성전자 대표이사, 자오쩡융 섬서성 성장, 윤상직 지식경제부 차관, 샹삥 중앙공신부 부부장.(사진=삼성전자)

삼성전자가 중국 투자 역대 최대규모인 70억달러를 투자한 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설에 본격 착수했다.

삼성전자는 12일 중국 산시성 시안시에 권오현 삼성전자 대표이사(부회장)을 비롯해 이규형 주중대사, 윤상직 지식경제부 차관, 중국정부 자오러지 산시성 서기 등 중국 정부 대표가 참석한 가운데 차세대 낸드 플래시메모리 반도체 생산라인 기공식을 개최했다.

이 날 행사에서 리커창(李克强) 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.

권오현 부회장은 “한·중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게 돼 영광이다”라며 “삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 앞으로도 ‘삼성중국반도체’를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌하겠다”고 밝혔다.

삼성전자 시안(西安) 공장은 초기 투자금액 23억달러를 비롯해 총 70억달러를 투자, 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다. 이는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대규모다.

삼성전자 관계자는 “시안(西安)은 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있어, 향후 삼성전자가 글로벌 오퍼레이션을 강화하는데 최적의 장소로 평가 받았다”고 설명했다. 아울러 37개 대학교와 3000여개의 연구 기관이 있어 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 도움이 될 것으로 기대했다.

삼성전자는 지난해 경기도 화성에 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산 라인 건설에 착수, 국내·외 균형있는 투자를 지속하고 있다. 또 지난 11일 산시(陝西)성에서 유치한 투자환경설명회에 많은 삼성전자의 협력사가 참여하는 등 이번 삼성전자의 투자를 통해 160여개의 협력사들이 중국에 진출할 수 있는 계기가 마련됐다고 회사측은 전했다.

삼성전자 관계자는 “이번 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외진출”이라며 “글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 생산단지를 구축한 삼성전자는 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것”이라고 전망했다.