삼성전자, 60나노 2기가 원낸드 개발

기존 70나노 1기가 원낸드 대비 쓰기 속도 2배

삼성전자가 70나노 1기가비트(Gb: Giga bit) 원낸드에 이어, 60나노 초미세 나노 공정을 적용한 2기가비트 원낸드를 개발했다.

원낸드(OneNAND™)는 읽기 속도가 빠른 노어 플래시의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 차세대 퓨전 반도체이다.

원낸드는 여러 모바일 제품에 적용, 우수성을 인정받았고, PC, 디지털 카메라, 메모리 카드, 디지털 TV 등 다양한 응용 분야로 그 시장을 넓혀 가고 있다.

기존 원낸드는 쓰기 동작시 한 번에 2키로바이트 단위로 데이터 처리가 가능했지만 이번에 개발된 2기가 원낸드 제품은 한 번에 4키로바이트를 처리할 수 있어 쓰기 속도가 초당 9.3메가바이트에서 17메가바이트로 2배 수준까지 향상됐다.

또한 여러 개의 칩을 적층함으로써 고용량 제품 구현이 가능할 뿐 아니라, 각 칩이 독립적으로 시스템과 동작할 수 있는 기능을 갖춤으로써 적층 칩 수가 증가하면 한 번에 처리 가능한 데이터량도 증가하게 된다.

즉, 2기가비트 원낸드 8개를 적층하였을 경우에는 초당 최대 136메가바이트까지 쓰기 속도 향상이 가능하다.

이에 따라 고집적화가 가능하여 모바일 제품 등의 저장 메모리로 널리 사용되어 온 원낸드는 낸드 대비 읽기 속도가 빠르고, 쓰기 속도도 향상되어 버퍼 메모리로도 본격적으로 활용될 수 있게 됐다.

원낸드는 이러한 우수한 성능을 바탕으로 응용처를 확대, 신규 시장 창출이 용이할 것으로 기대되고 있다.

특히 지난 5월 미국 시애틀에서 열린 미국 마이크로소프트 개발자회의 (WinHEC: Windows Hardware Engineering Conference)에서는 업계 최초로 하이브리드 HDD 시제품이 공개 전시되면서, 원낸드가 하이브리드 HDD에 채용되는 최적의 버퍼 메모리로서 주목받은 바 있다.