SK하이닉스, 차세대 초고속 메모리 시장 선도한다

미국 법인서 ‘2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄’ 개최

▲SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 케빈 위드머 상무가 HBM에 대해 설명하고 있다. 사진제공 SK하이닉스

SK하이닉스가 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다고 19일 밝혔다.

이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여개 주요 고객 및 파트너 업체에서 100여명이 참석했다. 특히 SK하이닉스와 함께 HBM을 개발하고 있는 협력 회사들이 직접 발표자로 참여해 의미를 더했다. HBM은 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.

SK하이닉스는 지난해 말 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 이어 중장기 HBM 로드맵을 소개하는 이번 심포지엄을 마련함으로써 SK하이닉스는 향후 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 전망이다.

SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작 전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.

SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다.