SK하이닉스가 하반기 20나노 중반급 D램 비중 확대 등을 통한 비용 절감을 바탕으로 수익성을 극대화할 방침이다. D램 시장 호황에 힘입어 반기 기준 최대 영업이익을 기록한 성장세를 그대로 이어가겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 2분기 연속으로 영업익 1조원을 돌파하며 연간 사상 최대 실적 달성에도 한 걸음 다가선 상태다. 아울러 차세대 메모리로 평가되는 TLC(트리플 레벨셀)는 올 3분기 개발이 완료, 내년 상반기부터 수익창출이 가능할 것으로 전망됐다.
SK하이닉스는 24일 열린 2분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 20나노 중반급 D램과 모바일·SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장을 중심으로 한 10나노급 낸드플래시 비중 확대를 통해 수익성을 높일 계획이라고 밝혔다. 당분간 D램과 낸드플래시 시장의 견조한 성장세가 전망되는 만큼 원가경쟁력 강화 및 제품 포트폴리오 확대를 통해 실적 성장을 지속하겠다는 전략이다.
김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장(사장)은 이날 콘퍼런스콜에서 “올 3분기 D램 출하량은 한 자릿수 중반대 증가율을 보일 것”이라며 “낸드플래시 역시 신제품 출시, 계절적 수요 증대, SSD 시장 성장 등으로 20%대 후반의 출하량 증가율을 기록할 것으로 예상된다”고 말했다.
TLC는 내년 상반기 본격적인 수익창출이 가능할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 “TLC 비중은 TLC가 사용되는 응용복합제품이 어느 것이냐에 따라 달라지고, 현재 SSD를 타깃으로 하고 있다”며 “시장 반응이 있으면 비중을 늘릴 계획으로 내년 하반기경 TLC 비중이 늘어날 수 있을 것”이라고 설명했다.
오는 2015년 하반기 완공을 목표로 현재 골조 설치 공사가 진행 중인 M14에 대해서는 내년 하반기 소규모 투자를 검토 중이다. 내년 하반기 M10에서 M14로의 장비 이전이 시작되면 생산능력(CAPA) 감소가 불가피하기 때문이다.
SK하이닉스는 “증설이 아닌 기존 생산능력 유지를 위해 내년 하반기 투자를 집행할 계획”이라며 “M14로의 최종 이전 시점은 2016년 상반기로 그 때까지 생산능력 증가는 없을 것”이라고 밝혔다.
한편 가파른 성장이 예상되는 중국 LTE 시장은 올 2분기 인프라 구축이 완료된 만큼 본격적인 수요 회복이 시작될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 “중국 LTE 시장은 기대만큼의 성장을 이루지 못했다”면서 “ 1분기 중국 LTE 시장 규모는 1000만대로 예상됐지만 실제로는 300만대 수준에 그쳤다”고 말했다. 이어 “올 2분기 LTE 인프라가 구축돼 향후 수요 회복이 기대된다”며 “현실을 고려할 때 올해 중국 LTE 스마트폰 판매 규모는 1억대 수준으로 예상한다”고 말했다.
한편 SK하이닉스는 올 2분기 매출액 3조9230억원, 영업익 1조840억원을 기록했다. 이는 전분기와 비교해 매출, 영업이익이 각각 5%, 3% 상승한 것으로 SK하이닉스의 반기 영업이익이 사상 처음으로 2조원을 넘어섰다.