파이컴은 19일 수직형 프로브 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
파이컴 관계자는 "본 발명은 MEMS 기술을 이용하여 희생기판 상에 트렌치를 형성하여 수직형 프로브를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 고집적화된 반도체 소자의 파인 피치에 대응이 용이하며, 프로브 팁부의 형상을 개선하여 반도체의 검사단자와의 접촉 성능을 높이는 효과가 있다."고 설명했다.
파이컴은 19일 수직형 프로브 제조방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.
파이컴 관계자는 "본 발명은 MEMS 기술을 이용하여 희생기판 상에 트렌치를 형성하여 수직형 프로브를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 고집적화된 반도체 소자의 파인 피치에 대응이 용이하며, 프로브 팁부의 형상을 개선하여 반도체의 검사단자와의 접촉 성능을 높이는 효과가 있다."고 설명했다.
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