증착방법 검색결과

검색결과 총24건

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국일제지, 자회사 국일그래핀 美 두 번째 특허 등록 완료

특수지 전문기업 국일제지는 자회사 국일그래핀이 두 번째 미국특허를 완료했다고 28일 밝혔다. 특허 명칭은 ‘Transfer-Free Method for Producing Graphene Thin Film’다. 본 특허는 전사공정 없이 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 단일막 그래핀 박막을 제조하는 실질적인 방법이다. 표적 기판 위에 티타늄 촉

2021-09-28 13:57
국일그래핀, 열분해 증착 그래핀 합성 특허 출원

국일제지의 자회사인 국일그래핀이 ‘열분해(Thermal CVD) 증착원 및 분급장치를 포함한 저온 무전사 박막 그래핀 및 그 제조방법’으로 특허를 출원했다고 2일 밝혔다. 이번 특허는 티타늄을 이용해 낮은 온도에서 넓은 면적의 그래핀을 고품질로 합성하는 기존 그래핀 제조방법의 단점을 보완한 새로운 무결점 개념의 대면적 그래핀을 직접적으로 성장시키는

2020-04-02 13:08
국일제지, 국일그래핀 ‘대면적 그래핀 증착방법, 그래핀 연속 증착장치’ 특허 출원

국일제지 자회사 국일그래핀이 그래핀 관련 특허를 출원하고 연구개발을 이어간다. 국일그래핀이 ‘대면적 그래핀 증착방법 및 이를 이용한 그래핀 연속 증착장치’로 특허를 출원했다고 17일 밝혔다 국일제지에 따르면 국일그래핀은 출원한 특허를 바탕으로 가동 준비중인 연속식 CVD 증착장치에서 다양한 분야에 적용 가능한 그래핀 박막을 생산할 계획이다. 특

2020-03-17 10:06
[전일 주요 공시] SK하이닉스ㆍ삼성중공업ㆍ오스코텍 외

△씨아이테크 30억 규모 3자배정 증자 결정 △CJ 보통주ㆍ우선주 주당 0.15주 배당 결정 △국제약품 보통주당 0.02주 주식배당 결정 △휴스틸 최대주주등 소유주식수 6000주 증가 △효성첨단소재 중국 계열사에 416억 출자 결정 △대덕전자 28억 규모 자사주 처분 결정 △파미셀 26억 규모 공급계약 체결 △SK하이닉스 분당 SK U-타워 매

2018-12-21 08:20
테스, 발광소자 보호막 증착방법 국내특허

테스는 20일 디스플레이 장비에 적용되는 발광소자의 보호막 증착방법 특허권을 취득했다고 공시했다. 회사는 이번 특허로 무기보호막의 막 밀도를 상대적으로 높여 결함을 억제해 유기보호막과 무기보호막의 접합력을 향상시키고 무기보호막의 내부 결함을 최소화시켜 투습 저항성을 증가시킬 수 있다고 설명했다. 또 보호막으로서 높은 투습저항성, 수분 및 산소에

2018-12-20 09:51
테스, 플라즈마 처리장치 관련 특허권 취득

테스는 플라즈마 처리장치 및 이를 이용한 탄소막의 증착방법 관련 특허권을 취득했다고 12일 공시했다. 회사 측은 "반도체 장비에 적용되는 기술로 하드 마스크로 사용되는 탄소막을 증착하기 위해 나노 다이아몬드 파우더가 혼합된 단일 액체 전구체를 사용하는 방식"이라며 "탄소막의 응력·흡광 계수를 종래에 비해 낮출 수 있으며, 비용 절감 및 생산성을 현저

2018-10-12 12:59
테스, 반도체 장비 관련 기술 특허 취득

테스는 플라즈마를 이용한 비정질 탄소막의 증착 방법에 관한 특허권을 취득했다고 6일 공시했다. 회사 측은 "특허와 관련된 기술을 반도체 장비에 적용하고 연구개발에 응용해 제품 경쟁력 강화에 활용할 계획이다"라고 말했다.

2018-03-06 16:17
[SP] 13일 주가에 영향을 미칠 만한 전일 주요 공시

△이녹스첨단소재, 주당 0.03주 배당 결정 △이녹스, 주당 0.03주 배당 결정 4 △케어젠, 주당 600원 현금배당 결정 △토박스코리아, 최대주주 이선근 외 3명으로 변경 △레고켐바이오, 35억 규모 토지 취득결정 △우진비앤지, 돼지유행성설사병 바이러스 백신 판매 시작 △테스, 발광소자 보호막 증착방법 특허 취득 △대화제약, 치매 예방·치료

2017-12-13 09:00
테스, 발광소자 보호막 증착방법 특허 취득

테스는 디스플레이(OLED) 장비에 적용되는 발광소자의 보호막 증착방법 특허권을 취득했다고 12일 공시했다. 회사는 디스플레이(OLED) 장비에 적용하고 R&D활동에도 응용하여 제품경쟁력 강화에 활용할 계획이라고 밝혔다.

2017-12-12 14:20
[SP] 22일 주가에 영향을 미칠 만한 전일 주요 공시

△이엘피, 아몰레드 패널검사 관련 특허권 취득 △제이콘텐트리, 제이티비씨플러스에 104억 채무보증 결정 △바이오빌, 임정혁 사외이사 중도퇴임 △알테오젠, 25.7억 규모 자사주 처분 결정 △아이엠텍, 최대주주 스타앤홀딩스로 변경 △코나아이, 금융위가 합병 정정신고서 제출 요구 △GMR머티리얼즈, 회계처리기준 위반으로 증선위 과징금 4.2억 △서

2017-11-22 09:00
테스, 발광소자 보호막 증착방법 관련 특허 취득

테스는 발광소자의 보호막 증착방법 관련 특허를 취득했다고 21일 공시했다. 회사 측은 “상기 특허와 관련된 기술을 디스플레이(OLED) 장비에 적용하고 연구개발(R&D)활동에도 응용하여 제품경쟁력 강화에 활용할 계획”이라고 밝혔다.

2017-11-21 13:31
[전일 주요공시] 덕양산업 “최대주주 변경 예정”

△금성테크, 10억 규모 제3자배정 유상증자 △씨그널정보통신, 141억원 규모 주주배정 유상증자 △한미약품, 381억원 규모 바이오플랜트 시설증설 투자 △와이제이브릭스, 제3자 배정 5억원 유상증자 △신세계, 3월 영업익 199억원…전년비 13.4% ↓ △경남기업, 추징금 94억원 부과받아 △톱텍, 삼성디스플레이와 276억원 규모 공급계약 △옴

2014-04-17 07:02
테스, 비정질 탄소박막 증착방법 특허 취득

테스는 비정질 탄소박막 증착방법 관련 특허를 취득했다고 16일 공시했다. 회사 측은 “비정질 탄소박막의 결합력이 극대화돼 증착하는 경우에 막의 증착을 용이하게 할 수 있다”며 “막의 박리가 없는 안정화된 고품질의 비정질 탄소박막을 얻을 수 있다”고 말했다.

2014-04-16 13:57
주성엔지니어링, OLED 사업 관련 특허권 2개 취득

주성엔지니어링은 OLED 사업 관련한 특허권을 2개 취득했다고 7일 공시했다. 취득한 2개의 특허권은 가스 분사 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템과 박막 제조 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법이다. 회사 측은 "본 특허권을 통해 OLED 사업의 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다.

2012-11-07 11:22
[공시]테스, 산화막 증착 방법 특허권 취득

테스는 10일 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법에 대한 특허권을 취득했다고 공시했다. 회사측은 “이번 특허를 장비 개발 및 제조시 특허기술 적용을 통한 기술 및 원가경쟁력 강화에 활용할 계획이다”고 설명했다.

2011-01-10 11:18
아이피에스, 극성 처리를 이용한 박막 증착 관련 특허 취득

아이피에스는 28일 극성 처리를 이용한 박막 증착 방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다. 아이피에스 관계자는 "본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단차 피복율을 조절하는 박막 증착 방법에 관한 것이다."라고 설명했다. 이어 "본 발명은 단차를 가진 반도체 기판의 표면에 친수성 혹은 소수성의 극성 처리를 하여, 전구체(예

2006-11-28 12:56
아이피에스, 주기적 펄스 플라즈마 원자층 증착장치 특허 취득

아이피에스는 20일 주기적 펄스 플라즈마 원자층 증착장치 및 방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다. 아이피에스 관계자는 "본 발명은 플라즈마 원자층 증착방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 기판 상에 반도체 소자를 형성함에 있어 반응챔버에 인가되는 플라즈마 에너지를 최소화함으로써, 기판 상에 발생하는 손상을 줄일 수 있는 원자층 증착장치 및

2006-11-20 13:50
아이피에스, HfSiON 박막 증착 방법 특허 취득

아이피에스는 15일 HfSiON 박막 증착 방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다. 아이피에스 관계자는 "본 발명은 4원계인 하프늄실리옥시나이트라이드(HfSiON) 박막 증착 방법에 관한 것으로, HfN막과 SiN막의 반응을 통하여 HfSiN막을 형성하고 이후 HfSiN막과 O소스를 반응시켜 HfSiON박막을 증착하거나, 또는 HfO막과 SiO막의 반

2006-11-15 16:15
아이피에스, 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착 방법 특허 취득

아이피에스는 플라즈마를 이용한 ALD 박막 증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 25일 밝혔다. 아이피에스 관계자는 "이번 발명은 박막을 구성하는 소스와 반응제 이외에 양질의 박막을 얻도록 하기 위하여 별도의 반응제(제1반응제-H2, 제2반응제-H2또는 H원자를 포함하는 화합물)와 플라즈마를 인가함으로써, 양질의 박막을 비교적 저온에서 형성할 수 있다

2006-10-25 15:33
아이피에스, USG 증착방법 관련 특허 취득

아이피에스는 25일 반도체 소자의 갭필을 이용하는 USG 증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다. 아이피에스 관계자는 "이번 발명은 USG를 증착하기 전에 미리 50Å이하의 두께에 유전율 30이하의 얇은 ALD 막을 증착함으로써,보이드 발생을 방지하는 것은 물론, 하지막 의존성을 배제시켜 USG 증착의 속도를 증가시키면서 또한 회로 속도 지연(RC

2006-10-25 15:06

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