SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D
SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다.
SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데
'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다.
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시
'FMS 2023'서 개발 현황 알려…300단 이상 세계 최초PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션도 소개
SK하이닉스가 세계 최고층 낸드플래시 샘플(시제품)을 공개했다.
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래