25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식’에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 공개하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 출하하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
30일 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산과감한 투자ㆍ노력으로 4년 만에 결실초격차 기술 확보해 TSMC 추격 속도 “높은 수율로 파운드리 고객 확보해야”
삼성전자가 세계 최초로 3nm(나노미터ㆍ10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입했다. 난도가 가장 높은 선단 제품을 만들 ‘초격차 기술’을 확보한 만큼 파운드리
삼성전자가 30일 양산을 시작한 3나노미터(㎚ㆍ10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정은 세계에서 가장 앞선 기술이다. 메모리반도체에 이어 파운드리에도 ‘초격차 기술‘이 녹아든 셈이다.
삼성전자의 3나노 공정을 가능하게 한 것도 세계 최고의 기술력이었다. 삼성전자는 기존 '핀펫'(fin-fet)이 아닌 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용했다.
GAA 차세대 트랜지스터 기술 최초 상용화 성공5나노보다 전력 45%↓ 면적 16%↓ 성능 23%↑ “고객사 확보, 수율에 대한 자신감 표현일 것”
삼성전자가 30일 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3nm(나노미터·10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 이재용 삼성전자 부회장이 강조한 '기술
최근 이재용 삼성전자 부회장이 유럽 출장에서 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라며 기술의 중요성을 강조했습니다. 이 부회장의 ‘기술 삼창’ 이후 삼성전자는 초격차 기술 전략에 박차를 가하는 모습인데요
삼성전자가 세계 최초로 차세대 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노미터(㎚=10억분의 1
삼성 “차질 없이 진행중”…상반기 중 3나노 양산TSMC와 격차 확대 등 파운드리 시장서 위기감↑이재용 부회장, ‘초격차 기술 리더십’ 거듭 강조 삼성 시스템반도체 경쟁력 한 단계 높아질 전망
삼성전자의 세계 최초 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 공정 양산이 임박했다. ‘3나노 공정’ 본격화로 파운드리 업계 1위인 대만
5년간 450조 원 반도체ㆍ바이오ㆍIT에 투자과감한 미래 투자에 이재용 부회장 의지 담겨메모리는 물론 시스템ㆍ파운드리서 1위 목표 CDMOㆍ바이오시밀러 중심 바이오 주권 확보차세대 통신 기술 6G의 핵심 기술 선점 가속
삼성그룹이 국가 핵심 산업의 경쟁력을 한 단계 높이는 동시에 신성장 사업 분야의 ‘초격차’ 유지를 위해 향후 5년간 450조 원 규모
이재용 부회장, 美에 20조 원 ‘통큰 투자’한미 반도체 안보 동맹에 중추적 역할해상호 협력 통해 반도체 초격차 유지 전망尹 대통령 “한중 관계 악화, 문제 없어”
한미 정상회담을 계기로 한국과 미국이 반도체 기술동맹을 강화하기로 해 삼성전자의 ‘반도체 초격차’가 탄력을 받을 전망이다. 이번 한미 간 반도체 안보 동맹에 있어 이재용 삼성전자 부회장의
3나노 공정 시제품 소개…TSMC 기술 격차 대외 홍보"한미 기술 동맹에서 동등한 위치 인식 심어줬을 것"
이재용 부회장이 조 바이든 미국 대통령에게 삼성전자의 '반도체 초격차' 기술력을 직접 소개하며 민간 경제외교관 역할을 했다. 바이든 대통령은 방한 일정에서 삼성전자 방문은 매우 중요하며 공급망 핵심으로 반도체의 중요성을 강조했다.
이 부회장은
한국을 찾은 조 바이든 미국 대통령과 윤석열 대통령이 20일 오후 경기도 삼성전자 평택 반도체 공장(평택 캠퍼스)을 찾은 가운데 이재용 삼성전자 부회장이 두 정상을 영접했다. 두 정상 간의 첫 만남에 이어 공장 시찰 일정에도 함께한 이 부회장은 환영 행사에선 한미 정상이 평택 공장을 방문한 데 대해 깊은 사의를 표명하고, 한미 간의 반도체 협력을 강조했다
삼성전자가 자사의 평택 반도체 사업장을 방문하는 조 바이든 미국 대통령에게 세계 최초 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정의 차세대 반도체를 선보일 예정이다.
19일 업계에 따르면 삼성전자는 20일 평택 캠퍼스를 방문하는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개한
삼성전자, 업계 최초 ‘3나노’ 양산 목전TSMC, 1.4나노 공정 개발 계획 발표인텔ㆍIBM 등 초미세 공정 경쟁 합세 M&A뿐 아니라 세제 혜택 등 지원 절실
반도체 선단 공정 경쟁이 치열해지면서 삼성전자는 3나노(㎚ㆍ1㎚는 10억 분의 1m) 공정 안정화로 내실 다지기에 속도를 내고 있다. 2나노 이하 공정의 본격 경쟁을 위한 포석 마련으로 풀
반도체ㆍ갤럭시S22, 실적 견인 주역하반기도 대내외 불확실성 지속 전망프리미엄 제품군으로 시장 공략 속도첨단 공정 수율 개선으로 수익성 제고
삼성전자가 반도체와 갤럭시S22의 선전에 힘입어 분기 역대 최고 매출을 기록했다. 올해 하반기에도 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19), 공급망 이슈 등으로 대내외 불확실성이 지속할 것으로 전망되는 가운데 삼성
삼성전자는 28일 1분기 경영실적 발표를 통해 올해 하반기에도 거시경제와 지정학적 이슈에 따른 불확실성이 지속될 것으로 전망했다.
삼성전자는 “부품 사업은 시황이 개선될 것으로 기대되며 첨단공정과 신규 응용처 확대에 중점을 둘 계획이다”라고 밝혔다.
이어 “DX(디바이스 경험) 사업은 프리미엄 리더십과 라인업을 지속적으로 강화할 계획”이라며 “동시에
삼성전자는 올해 2분기에도 거시경제 불확실성과 물류 이슈가 지속될 것으로 전망했다.
삼성전자는 대내외 악재가 지속되는 상황에서 DS(반도체)부문은 수요 견조세에 적극 대응하고 DX(디바이스 경험)부문은 스마트폰ㆍTV 신제품 판매 확대와 프리미엄 리더십 강화를 통한 수익성 확보에 주력할 방침이라고 28일 밝혔다.
삼성전자는 “메모리는 서버 중심으로 수
인텔이 15일(현지시간) 반도체 가치사슬 전반에 10년간 800억 유로(한화 약 109조 원) 투자 계획을 밝히면서 세계 파운드리 시장이 격동기를 맞을 것으로 보인다.
대만 TSMC와 삼성전자의 ‘1강1중’ 체제인 세계 파운드리 시장에 인텔이 가세하면서 패권 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다. 메모리반도체에 치중된 사업구조의 변화가 필요한 SK하이닉스에도 적