기존 플래시메모리, DRAM 등 단점을 극복할 수 있는 차세대 메모리 개발 경쟁이 치열한 가운데 PRAM에 대한 특허출원이 가장 활발한 것으로 나타났다.
PRAM은 상변화물질을 전기적으로 가열해 물질이 저항이 약한 결정상태로 되느냐, 저항이 강한 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 저장하고 판독하는 방식의 메모리 소자다.
특허청에 따르면, 지난
국내 IT산업 라이벌인 삼성-하이닉스(반도체), LG-삼성(디스플레이)이 신성장동력 확보를 위한 공동 R&D(연구개발)을 본격 추진한다.
11일 지식경제부에 따르면, 삼성전자와 하이닉스는 차세대 메모리 분야 원천특허 확보를 통한 지속적인 메모리 강국의 위상을 유지하기 위해 STT-MRAM((Spin Transfer Torque Magnetic RAM)
삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 국제표준 마련과 시장 선점을 위해 공동 대응에 나섰다.
양사는 25일 차세대 반도체 시장에 대한 국내 업계의 공동 대응이 필수적이라는데 공감하고 '신 메모리 공동 R&D', '반도체산업 표준화', '장비ㆍ재료 국산화 확대'를 핵심으로 하는 '반도체 3대 기술협력'을 적극 추진키로 합의했다.
특히 국내 반도체 업