삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8기가바이트(GB) DDR3 DRAM을 개발했다.
3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이다.
삼성전자는 이번 기술 개발을 통해 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할...
하이닉스반도체는 세계 최초로 관통 전극(TSV, Through Silicon Via) 기술을 활용해 웨이퍼 레벨 패키지 (WLP, Wafer Level Package)를 2단으로 적층하는 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.
웨이퍼 레벨 패키지 기술이란 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단해 간단히 완제품을...
이같은 문제점들을 극복하기 위해 반도체 기판 재료인 실리콘에 수직으로 관통하는 전극을 형성, 고층 건물의 엘리베이터와 같은 신호전달 경로를 제공하는 TSV(Through Silicon Via) 기술이 제안된 것이다.
TSV 기술은 회로 집적도, 동작 속도, 전력소모 및 제조 비용 등에 있어서 매우 큰 개선 효과가 기대된다.
실제로 IBM과 인텔에서 다중 프로세서 코어를 가진...