DX, 모든 디바이스에 삼성 AI 본격 적용해 새로운 경험 제공DS, 최고 기업으로 만들어 2~3년 내 반도체 세계 1위 되찾을 것
삼성전자가 올해는 디바이스경험(DX)부문에서 인공지능(AI) 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진한다. 또한 반도체부문(DS)에서는 반도체 시장 회복에 힘입어 2∼3년 안에 반도체
삼성전자는 마이크로SD 카드 신제품 2종을 개발하고, 고성능∙고용량 마이크로SD 카드 라인업 확대에 나선다. 부진했던 낸드 플래시 시장이 점차 반등할 조짐이 보이고 있어 신제품을 내놓고 수요 선점에 나서겠다는 전략이다.
삼성전자는 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다고 28일
이번 삼성전자 부사장급 이하 임원 인사의 주요 키워드는 ‘젊음’과 ‘다양성’으로 꼽힌다. 무엇보다 성과주의 원칙을 앞세워 30대 상무와 40대 부사장 등 능력있는 젊은 인재를 과감히 발탁했다. 이와 동시에 여러 여성 및 외국인 승진을 통해 다양성과 포용성도 강화했다.
29일 삼성전자는 2024 정기 임원 인사를 단행했다. 부사장 51명, 상무 77명,
삼성전자는 29일 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2024년 정기 임원 인사를 단행했다고 밝혔다.
삼성전자는 부사장 51명, 상무 77명, 펠로우 1명, 마스터 14명 등 총 143명을 승진시켰다.
삼성전자는 글로벌 경영환경의 불확실성을 극복하고 지속적인 미래 성장 기반을 구축하기 위한 승진 인사를 단행했다. 지속
경계현 삼성전자 대표이사가 반도체 산업 발전에 기여한 공로로 26일 금탑 산업훈장을 수훈했다.
산업통상자원부는 이날 더케이호텔에서 열린 제16회 반도체의 날 기념식을 열고 반도체 산업 발전에 공로가 있는 82명에 대한 정부 포상을 했다.
경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 연 매출 낸드 20조 원, SSD 10조
美 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크데이 2023' 개최초거대 AI 시대 주도할 '차세대 메모리 솔루션' 선봬AI 혁신 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트' 첫 선
삼성전자가 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 글로벌 IT 고객과 파
이정배 삼성전자 사장이 "D램과 낸드플래시 직접도를 극한 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해나갈 것"이라고 말했다.
이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 이같이 밝혔다.
그는 "D램은 3차
내년 반도체 시장 규모 올해보다 10% 성장낸드플래시 등 메모리 반도체 시장 급반등삼성ㆍSK, 신제품 출시…인재 확보 치열
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 불황 터널의 끝을 차곡차곡 대비하고 있다.
9일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 글로벌 경기침체에 따른 수요 부진으로 위축된 메모리 반도체 시장이 내년에 가파르게 회복할 전망이다. 내년 전체 반
삼성전자는 고사양 게임용에 최적화한 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) '990 프로' 시리즈의 고용량 제품인 4테라바이트(TB) 제품을 출시한다고 7일 밝혔다.
'990 프로' 시리즈 4TB 제품은 2종으로, '990 프로 4TB'와 방열 기능을 더욱 강화한 '990 프로 위드 히트싱크 4TB'이다.
삼성전자는 작년 10월 '990 프로' 1T
10월 5일 시스템 반도체 이어 20일 메모리 신기술 공개
삼성전자가 10월 차세대 메모리 반도체 전략을 공개할 전망이다.
10일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 오는 10월 20일 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 '메모리 테크 데이 2023' 행사를 연다.
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 기술 혁신과 생태계 조성에 초
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D
SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다.
SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데
'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다.
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시
삼성전자 수원컨벤션센터에서 정기 주주총회 개최재무제표 승인, 사내이사 선임, 이사 보수한도 승인주주 편의 위해 전자투표 제도, 온라인 중계 실시
한종희 삼성전자 부회장(DX부문장)이 올해 경영 환경 불확실성을 극복하기 위해 본질에 집중하겠다는 뜻을 밝혔다.
삼성전자는 15일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 주주, 기관투자자, 경영진이 참석한 가운데
신규 컨트롤러와 7세대 V낸드 탑재전력 효율 70% 높이고 소비전력 줄여
삼성전자는 5나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재한 PC용 고성능 NVMe SSD 'PM9C1a'를 양산한다고 12일 밝혔다. 삼성전자가 PC용 SSD에 5나노 기반 컨트롤러를 탑재한 것은 이번이 처음이다.
삼성전자는 PM9C1a에 첨단 5나노 파운드리 공정을 적용해 자체 설계한 신
"미래 대비 중요" 공격적 투자속도ㆍ용량ㆍ소비전력 기술 갖춰30년간 메모리반도체 왕좌 지켜'2030년 시스템반도체 1위' 목표파운드리 사업 초미세화로 승부
삼성전자가 ‘초격차 DNA’로 반도체 한파를 정면돌파한다. 그동안 회사를 지탱해온 버팀목을 불황 타개의 최고 무기로 앞세웠다.
최근 반도체의 부진은 글로벌 경기 침체로 인한 모바일, PC 등 전방산
삼성전자, 성과 낸 R&D 인력서 최연소 부사장ㆍ상무 배출기술전문가 펠로우ㆍ마스터 직급도 최대 승진 폭삼성D, 삼성전기, 삼성SDI서도 기술 인재 다수 승진
삼성전자가 단행한 부사장 이하 정기임원 인사에서 삼성의 미래를 책임지는 기술 전문가가 대거 승진했다. 핵심 기술력과 전문 지식이 풍부한 인재를 등용시키면서 기업 성장 경쟁력을 강화하겠다는 의도로
삼성전자, 세계 최고 용량 ‘1테라 8세대 V낸드’ 양산 시작2024년 9세대 V낸드 출시 예정…고용량화 전장 사업 ‘고삐’SK하이닉스, 238단 낸드 개발…"1000단까지 적층 경쟁 치열"
삼성전자와 SK하이닉스가 첨단 낸드플래시 기술력을 바탕으로 '메모리 반도체 혹한기' 극복에 나섰다.
삼성전자는 7일 세계 최고 용량의 ‘1Tb(테라비트
삼성전자는 세계 최고 용량의 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산에 들어갔다고 7일 밝혔다.
삼성전자에 따르면 1Tb TLC(트리플레벨셀) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 토글(Toggle) DDR 5.0이 적용돼 최대 2.
회장 취임 후 기술ㆍ인재 확보 행보 가속메모리 한파ㆍ경쟁사 추격에 입지 ‘흔들’‘절박한 심정’으로 초격차 기술 투자 확대
이재용 회장의 ‘뉴삼성’ 핵심 동력은 기술과 인재다. 이 회장이 기술·인재의 중요성을 여러 차례 강조해 온 만큼 회장 취임을 계기로 초격차 기술과 인재 확보 행보를 본격화할 것으로 업계는 전망했다.
27일 이 회장은 취임 직후