SK하이닉스가 업계 최초로 4세대 72단 3차원(3D) 낸드플래시 개발에 성공했다. D램에 편중된 사업 구조를 다각화하는 동시에 4차 산업 시대에 수요가 급증할 것으로 기대되는 3D 낸드플래시의 경쟁력을 강화한 것으로 평가된다.
SK하이닉스는 72단 256기가비트(Gb) 트리플 레벨 셀(TLC) 3D 낸드플래시를 개발했다고 10일 밝혔다. 256Gb
SK하이닉스가 장기적인 경쟁력 강화를 위해 올해 7조 원의 투자를 진행한다. 3D 낸드플래시 생산능력을 위한 낸드 투자를 중심으로 D램 기술력 강화에도 자금을 투입할 계획이다.
김준호 SK하이닉스 경영지원본부 사장은 26일 열린 작년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 “올해 투자는 장기 경쟁력 강화를 위한 추가 클린룸 건설 투자를 포함해 약 7조 원 수준을 예
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 훈풍을 등에 업고 내년 호실적이 예상된다. 모바일과 저장장치 등의 분야에서 수요가 계속 증가하고 있는 가운데 차별화된 기술 및 제품 경쟁력으로 경쟁 업체들과의 격차를 벌이고 있는 데 따른 것이다.
7일 관련업계와 증권가에 따르면 4분기 삼성전자 반도체부문 영업이익은 4조 원을 돌파해 최대 4조3000억 원에 달할 것이라는
애플 ‘아이폰8’에 삼성 부품이 대거 탑재될 전망이다. 기존 아이폰에도 삼성전자 모바일 D램이 탑재됐지만, ‘아이폰7’에 낸드플래시가 다시 들어가기 시작한 데 이어, 후속 모델에는 삼성디스플레이의 플렉시블 OLED 탑재도 점쳐진다.
1일 관련업계에 따르면 애플이 내년에 아이폰 출시 10주년을 맞아 내놓을 예정인 ‘아이폰8’에 삼성 V낸드와 모바일 D
상반기 실적 보릿고개를 지나면서도 연구개발(R&D)에 꾸준한 투자를 하며 반등을 노렸던 SK하이닉스의 노력이 결실을 보고 있다. 3분기 실적 반등을 시작으로 연내 48단 3D 낸드플래시 판매가 시작되면, 내년도 실적도 상승세를 이어갈 것으로 전망된다.
15일 SK하이닉스가 금융감독원에 제출한 분기보고서에 따르면 올 3분기 전체 매출에서 연구개발비가 차지하
일본 도시바가 3D(3차원) 낸드플래시 생산 능력 확대를 위한 대규모 증설에 나선다. 3D 낸드플래시 분야 1위인 삼성전자를 따라잡을 수 있을지 주목된다.
10일 관련업계에 따르면 도시바는 일본 시가(滋賀)현 요카이치(八日)에 3D 낸드플래시 설비를 증설하기로 하고 내년 2월부터 반도체공장(팹) 착공에 들어갈 계획이다.
낸드플래시는 컴퓨터 스토리지(
뉴지스탁 퀀트랭킹 시스템을 통해 유진테크가 모멘텀 76점, 펀더멘탈 81점 등 종합점수 78점을 얻어 23일 유망종목으로 선정됐다. 단기목표가는 2만4000원, 손절가는 2만500원이다.
유진테크는 상반기 실적호조를 이끌었던 3D 낸드(NAND) 투자 확대에 대한 수혜를 계속 입을 것으로 전망된다.
뉴지스탁은 SK하이닉스의 48단 3D 낸드 투자가 시
삼성전자가 올해 1분기 세계 낸드플래시(NAND Flash) 부문에서 사상 최대 매출을 기록, 세계 1위 자리를 공고히 했다.
12일 시장조사기관 IHS에 따르면 삼성전자는 2016년 1분기 낸드플래시 부문에서만 26억1500만 달러(약 3조 원)의 매출을 올려 전 분기(25억3600만 달러) 대비 3.1%의 성장률을 기록했다. 이는 전체 낸드플래시 시장
박성욱 SK하이닉스 사장이 메모리반도체 시장 불황으로 1분기 영업이익이 반토막 났지만 연구개발비(R&D)투자는 더욱 확대하며 미래 성장 기반 마련에 나섰다.
19일 SK하이닉스가 금융감독원에 제출한 분기보고서에 따르면 1분기 연구개발비는 4425억원으로 전체 매출(3조6557억원)의 12.1%를 기록했다. 전년 동기보다 3.2% 가량 상승한 수치로, 지난
SK하이닉스는 지난해에 이어 올해도 6조원 이상의 대규모 투자와 더불어 글로벌 경쟁력 강화를 통해 회사 전반적인 체질을 개선하고, 미래 성장 기반 마련에 더욱 집중할 계획이다.
2012년 SK그룹 편입 당시 반도체 업황이 불투명해 업계의 평균 투자 규모가 축소된 가운데서도, SK하이닉스는 투자를 전년 대비 10%가량 늘린 3조8500억원을 집행했다.
SK하이닉스가 올해 말까지 ‘3D 48단 낸드 플래시’ 개발과 양산하겠다는 목표에 박차를 가하고있다.
22일 SK하이닉스에 따르면 올해 48단 3D 낸드플래시 양산에 속도를 내 전체 시장 점유율을 끌여 올린다는 계획이다. 반도체 시황이 좋지 않지만 회사 내부적으로 올해 목표를 꼭 달성하고자 하는 강한 기류가 흐르고 있다는 전언이다.
3D 낸드플래시는정보
삼성전자와 SK하이닉스가 미세공정으로 메모리반도체 가격 약세에 대응한다. D램과 낸드플래시 등 글로벌 메모리반도체 수요절벽이 지속되고 있는 가운데 비용절감을 통해 수익성을 극대화하려는 전략이다.
2일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 18나노 D램 양산에 돌입한다. 10나노급 미세공정 기술은 이미 확보한 상태로, 시장 상황을 고려해 양산 시기를 저울질