4차 산업혁명 핵심인 반도체 산업, 특히 시스템반도체 기술 경쟁력 확보에 민관 합동으로 4645억 원이 투입된다. 정부는 설계, 인력, 소재 공정 분야 전문 인력을 4년간 2880명 양성할 계획이다.
산업통상자원부는 30일 판교 한국반도체산업협회에서 산·학·연 전문가와 시스템반도체 기업 간담회를 열고 이 같은 내용을 담은 ‘시스템반도체 산업 경쟁력 강화 방안’을 발표했다.
이번 대책을 통해 2015년 기준 230억 달러 수준인 시스템반도체 수출을 2025년까지 470억 달러로 2배 끌어올리고, 현재는 1개뿐인 세계 50대 팹리스(반도체 설계) 기업을 10개로 확대한다는 목표다.
우선, 정부는 3대 유망 기술개발 등에 민관 합동으로 2645억 원을 투자한다. 저전력 파워반도체 개발에 837억 원, 초경량 센서 고도화에 1326억 원, 초고속 메모리ㆍ시스템 통합설계 기술 등에 올해 47억 원 등 기술 경쟁력 확보에 2210억 원을 투입한다.
또한, 대기업ㆍ정책금융기관과 협력해 약 2000억 원 규모의 ‘반도체 성장 펀드’를 지원할 예정이다.
반도체 인력 육성에도 적극 나서기로 했다. 차량용 반도체 석사과정을 신설하고, 시스템반도체 개발 전문인력을 4년간 총 2880명 양성할 계획이다.
정부·기업의 1대 1 공동 투자로 차세대 반도체 소재·공정 원천기술도 개발한다. 미래 반도체 소자, 친환경 공정가스 개발 등에 올해 258억 원을 투자한다.
메모리 공급 능력 확대를 위해 삼성전자, SK하이닉스 등 민간 주도로 낸드 기술을 확보하고, 적기에 투자가 이행될 수 있도록 정부 합동 투자 지원반도 운영키로 했다.
이외에도 삼성전자의 사물인터넷(IoT) 반도체 개발 플랫폼을 교육기관에 개방, 국내 스마트 융합 제품 개발을 유도키로 했다. 중국 수요 연계형 R&D와 공동 마케팅을 지원하고, 인도에 시장개척단을 파견하는 등 신시장 개척에도 적극 나설 방침이다.
이번 대책에는 설계·생산기업 간의 협력 체계와 성장 인프라 구축 등의 내용도 담겼다. 한편 이날 간담회에서는 시스템반도체 산업경쟁력 강화 정책을 뒷받침하기 위한 업무협약(MOU) 3건도 체결됐다.