반도체값 내려도.. 훨훨 나는 '코리아'

D램 이어 낸드 가격도 하락.. 1위 삼성, 도비사 격차벌려.. 하이닉스 3위로 올라서

▲전분기 대비 증감률은 매출 기준

D램, 낸드플래시 등 세계 메모리반도체 가격 하락이 심상치 않다. 하지만 삼성전자와 하이닉스는 앞선 기술과 원가경쟁력을 앞세워 흔들림 없는 행보를 보이고 있다.

여기에 M램 등 차세대 메모리 개발에도 적극 나서고 있다. 누적적자가 계속되는 대만 등 해외 업체가 따라올 수 없도록 격차를 더욱 벌릴 것이란 전망이 지배적이다.

3일 반도체 상거래 전문 사이트인 D램익스체인지에 따르면 7월 후반기 대표적인 낸드 제품인 16Gb 2Gx8 MLC의 평균 고정거래가격은 2.74달러로 5월 후반기 3.12달러에서 12.2% 하락했다. 2009년 2월 후반기(2.89달러) 이후 가장 낮은 가격이다.

올 2분기 낸드 시장 규모도 48억8000만달러로 1분기(53억6000만달러)보다 9% 감소했다. 하지만 삼성전자는 시장점유율 40.1%로 2위 도시바와의 격차를 12.3%포인트까지 벌렸다.

삼성전자는 지난 1분기 36.2%의 점유율로 2위 도시바(35.1%)에 1.1%포인트 차로 쫓긴 바 있다. 1분기 10.7% 점유율로 마이크론(11.4%)에 3위 자리를 내줬던 하이닉스도 점유율을 2.4%포인트 높여 3위 자리를 되찾았다. 한국 업체의 점유율도 1분기 46.9%에서 2분기 53.2%로 높아졌다.

2분기 실적에서도 한국업체들의 독주를 확인할 수 있다. 삼성전자와 하이닉스의 2분기 반도체 사업 영업이익률은 각각 19.6%와 16%. 글로벌 메모리반도체 제조사 중에서는 1, 2위의 높은 영업이익률이다.

반면 글로벌 경쟁사의 실적은 악화됐다. 특히 난야와 이노테라, 파워칩 등 대만 업체는 대규모 적자를 기록했다. 3개 회사의 지난 2분기 영업이익률은 각각 -57%, -34%, -34%이다.

이처럼 국내 업체의 독주가 계속되는 이유는 앞선 미세공정으로 인한 원가경쟁력에 있다. 현재 국내 기업은 D램 생산 시 30나노급 공정의 비중을 높여나가고 있는 반면 대만 업체는 50나노급 공정이 주력이다. 두 세대 나노 공정을 앞당기면 제품 생산량이 2.5배 늘어난다.

삼성전자와 하이닉스는 미세공정을 더욱 앞당기기 위한 노력과 함께 D램과 낸드플래시 이후의 차세대 메모리 개발에도 힘을 쏟고 있다.

삼성전자는 2일 M램(자기메모리) 개발업체인 그란디스를 인수·합병했다. 이번 인수로 삼성전자는 M램 개발의 원천기술을 확보해 차세대 메모리 반도체 시장을 선점할 발판을 마련했다.

하이닉스도 지난달 도시바와 합작으로 하이닉스는 도시바와 차세대 메모리반도체인 STT-M램에 대한 공동 개발 및 합작사 설립을 통한 공동 생산 계약을 체결했다. R램 연구·개발 분야에서는 이미 미국 HP와 손을 잡고 있다.

업계 관계자는 “이미 해외 반도체 업체와 국내 업체의 격차는 많이 벌어진 상황”이라며 “차세대 반도체도 선점하며 도저희 따라올 수 없는 초격차를 만드는 게 관건”이라고 말했다.