삼성전자의 최신 D램이 업계 최고 수준의 동작 속도를 구현했다.
18일 삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술을 활용된 14나노 기반 LPDDR5X D램의 동작 속도를 검증해 공개했다. 그 결과 업계 최고 수준인 8.5Gbps의 속도를 구현했다. 'Gbps'는 1초당 처리가 가능한 기가비트를 의미한다.
이번 검정은 지난 3월 퀄컴과
삼성전자가 현존 최고 속도 D램보다 7배 이상 빠른 ‘초고속 D램 시대’를 연다
삼성전자는 세계 최초로 고난이도 TSV(실리콘관통전극) 기술 기반 차세대 메모리 ‘4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램’을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.
TSV 기술을 적용한 HBM D램은 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용
SK하이닉스가 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다고 19일 밝혔다.
이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여개 주요 고객 및 파트너 업체에서 100여명이 참석했다. 특히 SK하이닉스와 함께 HBM을 개발하고 있는 협력 회사들이 직접 발표자로 참여해 의